【摘 要】
：
二硅化钼具有高熔点(2030℃)、适中的密度、良好的导热性和导电性以及优良的高温抗氧化性等,而被认为是极具竞争力的高温结构材料.然而,其低的室温韧性和差的高温抗蠕变性能严重限制了它在高温结构材料领域的应用.碳纳米管(CNTs)具有优异的力学性能和物理性能,其抗拉强度和弹性模量分别高达200GPa和1TPa.本研究以CNTs为增强体,采用机械混合和真空烧结法制备了CNTs/MoSi2复合材料,考察不
【机 构】
：
厦门理工学院,材料科学与工程学院,厦门361024,中国
论文部分内容阅读
二硅化钼具有高熔点(2030℃)、适中的密度、良好的导热性和导电性以及优良的高温抗氧化性等,而被认为是极具竞争力的高温结构材料.然而,其低的室温韧性和差的高温抗蠕变性能严重限制了它在高温结构材料领域的应用.碳纳米管(CNTs)具有优异的力学性能和物理性能,其抗拉强度和弹性模量分别高达200GPa和1TPa.本研究以CNTs为增强体,采用机械混合和真空烧结法制备了CNTs/MoSi2复合材料,考察不同烧结温度对复合材料力学性能的影响,得出合理的烧结工艺.
其他文献
Eu掺杂沸石粉体作为一种近紫外激发型荧光粉可被应用于LED领域,然而此类荧光粉的光吸收效率较低,荧光强度有待进一步提高.研究表明可采用加入Ce等光学敏化剂增加沸石基体中Eu离子对激发辐射能的吸收效率.金属表面增强荧光效应近年来已引起研究者们的广泛关注,然而,关于金属Ag纳米晶引入对稀土离子交换沸石粉体的荧光性能影响的研究报道很少.本文通过水浴离子交换法结合煅烧处理制备了Eu、Ce、Ag离子共掺杂沸
硅酸锆作为一种复合氧化物材料具有高熔点,极好的化学和相稳定性以及低热导率,低膨胀系数和高抗震性等优点,在耐火材料、玻璃窑炉锆捣打料、浇注料、喷射料中得到了广泛应用.本实验拟采用一种新的凝胶注成型体系，只需要水溶性异丁烯马来酸醉共聚物(商业名称Isobam)一种添加剂，在空气室温下自发凝胶。结合直接发泡工艺，成功制备了多孔硅酸错陶瓷，同时研究了发泡剂用量对浆料流变性能的影响，探索了其显微结构、耐压强
氧化铝因原料来源广泛、价格低、高温稳定性好、强度高、硬度大、耐腐蚀和绝缘性好而得到广泛应用.本文采用的铝源为硫酸铝铵,同时引入生物酶-脲酶做催化剂,不仅容易脱除杂质,同时提高反应效率,得到低收缩率、高纯度球形氧化铝.
本文介绍了在核电装备中应用的几种含硼元素化合物的硼系陶瓷材料,主要包括碳化硼、硼化锆、氮化硼以及含硼硅酸盐等材料,并对其应用现状和前景进行了综述.同时,对上述材料制备的一些材料热力学新理论、新方法进行了介绍,这对核电装备应用的含硼陶瓷材料物相成分的化学设计、制备条件研究具有指导意义.
Al2O3-SiC-C浇注料以其优异的热震稳定性、抗侵蚀性被广泛用于大中型高炉出铁沟、混铁车和铁水包。本文主要研究了金属硅加入量对硅溶胶结合A1203-SiC-C质浇注料常温物理性能和抗氧化性能的影响，并对金属硅对A1203-SiC-C质浇注料的抗氧化机理进行了探讨。
水煤浆气化炉是将含碳原料部分氧化成H2和CO合成气的装置,炉内高温高压,强还原气氛,同时还要承受高速气流的冲刷,酸性熔渣的磨损、侵蚀.因此,作为水煤浆气化炉内衬材料,高铬砖的使用寿命受到了极大的挑战.本文研究了添加不同磷酸盐含量的高铬砖在两种气氛下烧成后表现出的性能，以期改善高铬砖的使用寿命。
小批量、个性化的生产将成为高档陶瓷饰品未来发展的方向,工艺复杂的传统釉彩烧制很难适应这种变化.找寻方便有效的熔覆陶瓷釉彩的方法对传统陶瓷特别是高档陶瓷彩饰品制备具有深远意义.本文探讨使用激光技术熔覆陶瓷釉彩并采用分光光度测色仪对比分析了传统烧制及激光熔覆钴蓝色和钴黑色样品的光泽色度.
隔热耐火材料是具有低导热系数和低热容量的一类耐火材料,具有气孔率高、体积密度低的特点,能够起到保温、隔热的作用,广泛应用在工业窑炉中.本文以宜昌天然镁橄榄石为骨料,菱镁水泥为结合剂,加入硅微粉和外加剂,采用泡沫法制备镁橄榄石隔热耐火材料,主要研究烧结温度对其性能的影响.
致密耐火浇注料在初次使用或烘烤过程中容易发生表面大片剥落或炸裂成若干碎片的爆裂现象,不仅会造成产品和烘烤设备的毁坏,还有可能造成人员伤亡.为了更深入、准确地探究致密耐火浇注料内部蒸气压致爆裂机理,本文通过自行设计的试验装置测量了不同加热方式下浇注料内部蒸气压,结合浇注料内部水分排出特征,总结比较了耐火浇注料中蒸气压致爆裂机理研究的实验方法.
近几年,基于双钙钛矿结构阳极材料Sr2MgMoO6的发现,衍生出一系列与其相似的材料体系,如:Sr2NiMoO6、Sr2FeMoO6、Sr2CoMoO6等,并对其B、B位做了较多的掺杂改性研究.这些材料在氢气气氛下均表现出较高的电导率和性能,是很有潜力的氢燃料电池阳极材.本文选择Sr2CoMoO6体系做掺杂改性研究,通过在其A位上掺K+,提高其氧缺陷浓度以增强其离子电导率.结果表明：随着K+对Sr