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该文介绍了在GaAsMMIC中TaN薄膜电阻制备技术，给出了制作薄膜电阻的基本工艺条件及方块电阻值的控制方法，对薄膜厚度的均匀性，薄膜厚度、应力与氮流量的关系，以及方块阻值与氮气流量的关系进行了实验与分析。在直径为3英寸的GaAs园形衬底上，电阻均匀性可控制在±1℅以内，通过控制氮气流量可以很方便的获得20～50O／sq．的TaN薄膜电阻。文中并对TaN薄膜电阻制作后的热退火、热稳定性及相关的工艺制作条件进行了讨论、分析。目前，此方面工作仍在进一步开展进行中。