【摘 要】
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本文研究了(NiFe)Cr种子层的成分和厚度对NiFe薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响.结果表明:当种子层(NiFe)Cr厚度为5.5nm时,NiFe(20.0nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大,为
【机 构】
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北京科技大学材料物理与化学系(北京)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
论文部分内容阅读
本文研究了(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>种子层的成分和厚度对Ni<,0.81>Fe<,0.19>薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响.结果表明:当种子层(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,0.63>Cr<,0.37>厚度为5.5nm时,Ni<,0.81>Fe<,0.19>(20.0nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大,为2.5％;当Cr的含量为0.36时,Ni<,0.81>Fe<,0.19>(60.0nm)薄膜的AMR值较大,为3.35％.原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层的厚度对Ni<,0.81>Fe<,0.19>(20.0nm)薄膜表面平均晶粒尺寸影响不大,但造成其(111)织构相差很大,AMR值最大时,对应的(111)衍射峰最强;Cr的成分对Ni<,0.81>Fe<,0.19>(60.0nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和(111)衍射峰影响非常明显,AMR值最大时,对应的薄膜表面平均晶粒尺寸最大,Ni<,0.81>Fe<,0.19>(111)衍射峰也最强.
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