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垂直有序介孔二氧化硅薄膜不仅具有比表面积大、孔隙率高、化学和机械性能稳定、生物兼容性好、尺寸可调等优点,还可以增强传质速率,是一种理想的电极修饰材料[1]。本研究以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板,采用St(o)ber溶液生长法,在氧化铟锡(ITO)导电基底上合成垂直有序的二氧化硅纳米通道和CTAB胶束的二元自组装薄膜(Binary Assembly of Silica Mesochannels and Surfactant Micelles Film,简写为BASMMF),孔径为2～3 nm[2]。