沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

• 作 者: 陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄
• 机 构: 郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室,郑州,450052
• 出 处: 第九届中国太阳能光伏会议
• 发表日期: 2006年期
• 关键词: 沉积温度 微晶硅薄膜 结构特性 温度值 晶化率 分光光度计 玻璃衬底上 流量控制 拉曼光谱 扩散限制 表面反应 转变 下沉 技术 含量 硅烷 表征

本文采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV-分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行表征.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.