高性能LED驱动调光编解码芯片的设计与实现

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：william_wng

【摘要】

：

本文介绍了一种在单线传输协议下将密勒码信号调制为PWM波的LED驱动芯片,驱动芯片由采样、滤波、解码、解包、PWM波调制和I2C总线接口这几个模块构成.解决了多灯点情况下,无线信道内信号定点传输问题.芯片设计采用VerilogHDL进行RTL级描述,使用Modelsim完成功能仿真,并通过了FPGA验证,基于ASMC0.35um工艺,使用Synopsys公司的Astro工具完成了后端版图设计.

【作者】

：

牟志强马松陆宇程玉华

【机构】

：

上海北京大学微电子研究院,上海201203;信息工程学院,北京大学深圳研究生院,深圳,518055

【出处】

：

2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

【发表日期】

：

2016年4期

【关键词】

：

发光二极管驱动芯片设计理念 PWM波调制 I2C总线接口

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

一种12位R-2R电阻网络数模转换器设计

近年来,数模转换器的市场呈稳步上升的发展趋势.本文基于R-2R电阻网络的基本结构,设计了一种12位的高精度数模转换器,其采用温度计译码的方法对数模转换器的高位输入进行译码,并内置一种复位时间可调整的片上复位电路.所设计的数模转换器具有结构简单、面积小、功耗低等优点,适用于高密度布局电路及便携式设备和工业控制等方面.

会议

数模转换器电路设计R-2R电阻网络温度计译码复位时间

High Performance and Low Thermal Budget Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor with an Atomic-Layer-

Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) with an atomic-layer-deposited (ALD) SiO2 gate insulator were fabricated and compared with those with a plasma-enhanced chemical vapor deposi

会议

Amorphous In-Ga-Zn-Othin-film transistoratomic-layer-deposited SiO2no post-an

A 0.18-um 2.4GHz CMOS LNA linearized using active post-distortion

This report presents a 0.18-um 2.4GHz CMOS LNA linearized using active post-distortion (APD).The differential architecture is chosen to provide sufficient common mode rejection ratio.The brief theory

会议

LNAactive post-distortion (APD)Linearity

PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT FILMS USING TRIETHOXYMETHYLSI

Ultralow dielectric-constant (κ) porous SiCO(H) films were prepared using C7H18O3Si (MTES) and C 10H16 (LIMO) precursors by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and post-deposition anneal

会议

Low kSiCO(H)PECVDAnnealing

Total dose radiation induced changes of the floating body effects in the partially depleted SOI nMOS

In this paper, the impacts of ionizing radiation on the gate induced floating body effects (GIFEBs) and low-frequency (LF) noise for the 130nm partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) N-type me

会议

total ionizing dosesilicon on insulatorlow-frequency noisefloating body effec

Photocurrent-voltage characteristic of resonant tunneling photodiodes

The resonant tunneling photodiodes (RTDs) based on an A1GaAs/GaAs double barrier structure with an InGaAs absorption layer have simulated.Photons with the wavelength λ=1.54 μm lead to hole accumulatio

会议

Resonant tunneling diodedouble barrier resonant tunnelingpeak-valley current r

Influence of Post-annealing on Electrical Characteristics of Thin-Film Transistors with Atomic-Layer

The TFTs with atomic layer deposited ZnO-channe1/Al2O3-dielectric were fabricated under the maximum process temperature of 200 ℃.We compared the influences of annealing temperature and time on the dev

会议

CMOS运算放大器设计重用的一种方法

模拟电路的设计重用是提高模拟与混合信号集成电路设计效率的重要途径.本文探讨了在不同工艺之间进行同一结构电路的设计移植,并保持电路性能不变的方法.基本思想是匹配移植前后电路的工作电流和MOS管的小信号跨导gm、输出电导gds,从而保证关键电路性能指标不变.通过求解基于BSIM模型的匹配方程的方法,实现了较为准确的移植.文中以一个Miller补偿两级运算放大器为例,给出了从0.8um工艺到0.35um

会议

运算放大器设计重用工作电流输出电导小信号跨导

面向嵌入式系统的小型化通信接口IP模块设计

针对嵌入式系统中多设备之间的通信需求,本文设计实现了抗干扰能力强、模块管脚少、控制方式简单的通信接口模块.主要内容包括:详细制定了模块采用的单线串行通信规则.详细介绍了通信接口IP模块的设计过程.最后使用GSMC0.18的工艺对设计进行流片,获得实际的测试数据.

会议

通信接口ip模块芯片设计抗干扰能力

STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应

在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对器件特性产生影响.研究表明,沟道越短,泄漏电流越大,辐照会增强短沟道效应.

会议

CMOS器件总剂量效应短沟道效应绝缘埋层浅沟槽隔离沟道长度

高性能LED驱动调光编解码芯片的设计与实现

其他学术论文