通过掺杂调控AlN纳米锥的场发射性能

• 作 者: 赵杰 刘宁 张永亮 吴强 王喜章 胡征
• 机 构: 介观化学教育部重点实验室,南京大学化学化工学院,210023
• 出 处: 中国化学会第30届学术年会
• 发表日期: 2016年期
• 关键词: 过掺杂 调控 AlN 纳米锥 屏蔽效应 一维纳米结构 化学气相沉积 场发射性能

　　AlN具有小(甚至负)的电子亲和势,其一维纳米结构在场发射领域具有潜在应用[1]。但是,AlN的场发射性能受到导电性、屏蔽效应等因素的显著影响[2,3]。本工作利用AlCl3与NH3的化学反应,以SiH4或MgCl2为掺杂剂,通过化学气相沉积法制备了Si或Mg掺杂的AlN纳米锥,并用Mo网作掩膜使其图案化生长以便减小屏蔽效应(Figure 1a)。