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氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所
【出 处】
：
第二届全国敏感元件传感器学术会议
【发表日期】
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1991年期
其他文献
对Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉结构瓷材料进行了研究Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉－Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＳｉＣｗ、Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉－Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－Ｌａ〈，２〉Ｏ〈，３〉、Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉－Ｙ〈，２〉Ｏ〈，３〉－Ｌａ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＳｉＣｗ、Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉＋ＴＺＰ等种组份的材料，及其室温弯曲强度和断裂韧性以及