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InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN/GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶格匹配，并且由于大的自发极化差和导带不连续产生>2.0x1013cm-3浓度的二维电子气，在大功率微波电子器件上也正引起人们的重视。本文研究了与GaN匹配附近的InxAl1-xN材料中的缺陷，并讨论了应力对缺陷形成的影响。