【摘 要】
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我们利用原子力显微镜和透射电子显微镜系统地研究了2个原子单层InAs种子层对InAs/GaAs量子点尺寸和形状在不同InAs覆盖厚度(2.0,2.5,2.9原子单层)的影响.对于单层样品,非共
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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我们利用原子力显微镜和透射电子显微镜系统地研究了2个原子单层InAs种子层对InAs/GaAs量子点尺寸和形状在不同InAs覆盖厚度(2.0,2.5,2.9原子单层)的影响.对于单层样品,非共格而且较大的InAs量子点出现在2.5个原子单层的覆盖度.一旦非共格的量子点形成,量子点将迅速合并,形成不规则的形状.与单层样品相比,在种子层的影响下较大且均匀的InAs量子点形成于2.9原子单层,其横向尺寸达到43nm,高度达到11nm.另外,我们观测到了具有双模分布的量子点在2.5原子单层的覆盖度出现.我们通过对种子层对GaAs表面的影响和平均InAs/GaAs失配的减小对环型位错形成作用系统地分析,解释较大量子点在种子层影响下形成的原因.同时,我们的理论模型还解释另外的一些实验现象,如InGaAs/GaAs量子点对位错形成的抑制.
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