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Intrinsic Electronic Confinement at Conducting Oxide Interfaces

来源 :The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoping123123

【作 者】

：

D.Li S.Gariglio Z.Wu W.Liu A.Fête M.Boselli S.Lemal N.C.Bristowe Ph.Ghosez M.Gabay J.-M.Triscone 

【机 构】

：

DQMP,UniversitédeGenève,24quaiErnest-Ansermet,CH-1211Genève,SwitzerlandTheoreticalMaterialsPhysics,U

【出 处】

：

The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际

【发表日期】

：

2016年10期

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