【摘 要】
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在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的
【机 构】
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扬州大学 物理科学与技术学院,江苏扬州225002
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的光强提高了244 mcd,极大提高了发光强度；ODRLED光通量、光效、色纯度比普通LED分别提高了6.04％,5.74％,78.64％,但电压仅增加了0.009 V.ODRLED具有绝对优势是其色温要比普通LED的色温低1 804 K,并且随着电流的变化色温始终在中性色温区且变化幅度远小于普通LED,明显改善大功率LED的色温缺陷.
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