【摘 要】
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本文采用化学气相沉积法制备了具有不同硅碳比的Si/C纳米粉体,透射电镜发现所制备的粉体均为纳米球形颗粒,颗粒直径分布在20～50 nm之间,粉体有较严重的团聚现象.X-射线衍射发
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
【出 处】
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2002年西部地区纳米技术与应用研讨会
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本文采用化学气相沉积法制备了具有不同硅碳比的Si/C纳米粉体,透射电镜发现所制备的粉体均为纳米球形颗粒,颗粒直径分布在20～50 nm之间,粉体有较严重的团聚现象.X-射线衍射发现所制备的粉体均为非晶,但粉体具有与SiC相似的短程有序结构.对不同碳硅比的Si/C纳米粉体的介电性能进行了测试,发现粉体介电常数的实部ε′、虚部ε″和介电损耗角正切tanδ均随粉体组成变化,粉体的成分对介电性能有决定性影响.对Si/C纳米粉体介电损耗的机理进行了分析,认为过量碳和硅产生的多余电子和过剩非晶碳是造成Si/C纳米粉体具有较大介电损耗的主要原因.
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