【摘 要】
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介绍了一种互补双极工艺的关键器件VPNP的性能优化技术，在工艺和器件仿真的基础上，采用原发于改善高速NPN管性能的SIC技术，应用于VPNP管性能的优化。使亚微米的VPNP管的特征频率提高30％，达ft＞3.0GHz,击穿电压BVceo＞6.0V，拓宽了该互补双极工艺应用领域。
【机 构】
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模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 模拟集成电
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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介绍了一种互补双极工艺的关键器件VPNP的性能优化技术，在工艺和器件仿真的基础上，采用原发于改善高速NPN管性能的SIC技术，应用于VPNP管性能的优化。使亚微米的VPNP管的特征频率提高30％，达ft＞3.0GHz,击穿电压BVceo＞6.0V，拓宽了该互补双极工艺应用领域。
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