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本文基于20 nm FinFETs器件应用TCAD仿真技术研究了穿通阻止层对器件特性的影响。根据本文的研究结果，穿通阻止层对器件的亚阈值特性影响甚大，对穿通阻止层技术的优化设计对于获得高性能低功耗FinFETs器件具有重要意义。
基于20nm FinFETs器件穿通电流的抑制及穿通阻止层技术优化设计
【摘 要】
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本文基于20 nm FinFETs器件应用TCAD仿真技术研究了穿通阻止层对器件特性的影响。根据本文的研究结果，穿通阻止层对器件的亚阈值特性影响甚大，对穿通阻止层技术的优化设计对于
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2013年期
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