无铝光栅InGaAlAs-GaAs分布反馈激光器的理论和实验研究

• 作 者: 付生辉 钟源 宋国峰 陈良惠
• 机 构: 中科院半导体研究所,北京,100083
• 出 处: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2006年期
• 关键词: 光栅 分布反馈激光器 理论 垂直和水平 边模抑制比 最大功率 阈值电流 光学性能 器件 激射波长 实验值 发散角 制作 电学 测量

本文首先从理论上研究了二级无铝光栅的InGaAlAs分布反馈激光器的性能,而后制作了器件并对其电学和光学性能进行测量.器件的阈值电流为54mA,无扭折的最大功率可达30 mW;激射波长约为822 nm,20 mW下的边模抑制比大于30 dB,垂直和水平远场发散角分别为34.8°,13.5°.结果表明理论和实验值符合得很好。