论文部分内容阅读
本文采用器件模拟软件ISE TCAD模拟了P+多晶硅/P-4H-SiC异质结的正反向特性,结果表明P+多晶硅/P-4H-SiC异质结体现出了良好的整流特性,具有低的正向开启电压和高的反向击穿电压.P+多晶硅P-4H-SiC异质结可以制成整流二极管.
P+多晶硅/P-4H-SiC异质结特性的研究
【摘 要】
：
本文采用器件模拟软件ISE TCAD模拟了P+多晶硅/P-4H-SiC异质结的正反向特性,结果表明P+多晶硅/P-4H-SiC异质结体现出了良好的整流特性,具有低的正向开启电压和高的反向击穿电
【机 构】
：
西安电子科技大学微电子所,西安,710071
【出 处】
：
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2006年期
其他文献
本文采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.采用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅
会议
本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长
本文用SEM和TEM对在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜样品进行了结构分析.实验样品的衬底温度为980℃,生长时间1h.结果表明,该样品具有两种形状不同的岛状结构特征,一种是规则的
会议
本文报导对采用PVT法生长的6H-SiC单晶体切片的晶型和晶体结构的Raman光谱和X射线衍射谱分析.结果表明,采用含一定比例同质异晶型(Polytype)的6H-SiC籽晶生长的单晶体仍含有
为了获得具有平整Si面的SiC晶片,使用线切割和机械磨抛的方法对6H-SiC(0001)晶锭进行加工.本文采用SEM和AFM对加工后获得的SiC晶片样品进行测试分析,结果表明:根据初步的加工
会议
本文在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题.此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触
本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长
笔者多年来参加在韩江中下游的潮州附近建造大型水利枢纽闸址选择工作,通过在峡谷口还是选择冲积平原作为闸址的选址地质勘察工作过程带来的思考,如果当时选择建造工程量较小,以发电为主的竹竿山峡谷口作闸址,从表面上看经济效果不错,但对生态环境以及历史文化名城人文景观保护欠佳,其实质是反映了人的观念变化,观念变环境也会变。
SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点,特别是SiC的外延生长,更是人们关注的方向.本文详细描述了我们实验室从EPIGRESS AB
本文采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同高度和匝
会议