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该文详细阐述一种自对准、全离子注入、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ发射极工艺的研究。该工艺已应用于超高速Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的研制中。利用该研究成果成功地开发了转换速率１２５－２５ＭＨ〈，ｚ〉建立时间为１０ｎｓ的超高速８位视频Ｄ／Ａ转换器ＳＤＡ００７。
自对准、全离子注入、Poly-Si发射极工艺研究及其在超高速A\\D、D\\A中的应用
【摘 要】
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该文详细阐述一种自对准、全离子注入、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ发射极工艺的研究。该工艺已应用于超高速Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的研制中。利用该研究成果成功地开发了转换速率１２５－２５ＭＨ〈，ｚ〉建立时间为１０ｎｓ的超高速８位视频Ｄ／Ａ转换器
【机 构】
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集成电路国家重点实验室信息产业部(重庆)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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