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根据硅单晶的电阻率和所需的探测器厚度，将硅锭切成3.2mm厚的大片，用四点针逐点测量硅片上的各点的电阻率，选取电阻率相近的区域用超声切割法切成φ11mm左右的小园片，用M28刚玉砂粗磨。清洗后化学镀镍并焊接后电极接触，用M7刚玉砂细磨前表面，仔细清洗后，用聚苯乙烯涂层保护后电极接触，在HNO[*v3*]:HF＝3:1的溶液中腐蚀约4分钟，用去离子水淬灭化学反应并继续冲洗，至流出水的电阻率大于2MΩ·cm，除去保护涂层后沸水表面处理约1小时，在100℃红外烘箱中烘干，然后用W31-4胶作为封装和表面保护涂料，在干燥箱中封装探测器。该文提供了这种探测器的性能及使用结果，例如探测器的反向漏电流；Thc＋Thc′α能谱等。（王太和摘）