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Cu-doped ZnO (CZO) thin films (0–3 mol％ Cu content) were grown on GaN/Al2O3 substrates at 700 ℃ by the pulsed laser deposition technique.
Physical properties of epitaxial Zn1-xCuxO films fabricated by pulsed laser deposition
【摘 要】
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Cu-doped ZnO (CZO) thin films (0–3 mol％ Cu content) were grown on GaN/Al2O3 substrates at 700 ℃ by the pulsed laser deposition technique.
【机 构】
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Department of Nano Fusion Technology, Pusan National University, Miryang 609-735, Republic of Korea
【出 处】
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2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议
【发表日期】
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2011年9期
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