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力旺电子为全球最大的逻辑制程非挥发性存储器(Logic-Bsed Non-Volatile Memory,Logic NVM)技术开发及硅智财供应厂商.为了满足成熟制程至先进制程的逻辑非挥发性存储器在各式IoT上的应用,力旺电子利用薄型元件构成的存储器单元来达成反熔丝的NeoFuse技术,让逻辑制程的非挥发性存储器可以延续摩尔定律继续往前迈进.藉由力旺电子坚强的研发团队,NeoFuse的技术已经有良好的验证结果并且在先进制程上迅速的推广开来.力旺电子的NeoFuse技术已经广泛地应用在各个制程平台,例如LP/ULP,HV,CIS以及HPM/HPC在0.11um,65nm,55nm,40nm以及28nm的制程上.力旺电子在28nm HPC+以及16nm FinFET (FFP and FFC)制程平台上得到非常好的验证结果,并且持续地研发10nm Fin-FET+的NeoFuse技术以期望在未来的几年内能提供给各式各样的IoT应用.在这次的演讲中将呈现世界上第一个验证过的16nm FinFET Plus/Compact OTP技术,并且说明NeoFuse IP如何为客户在电路设计上带来好处.在第二部分将叙述NeoFuse这具有竞争力的优势技术与发展蓝图可以在sub-16nm FinFET制程上满足客户的需求.