【摘 要】
：
离子植入技术是一种利用高能量将离子加速,植入目标材料表面下的过程.离子植入技术目前已经被广泛的应用于集成电路的制作.在化合物半导体光电子器件方面,如面射型激光器(VCSELs),吾人亦可利用离子植入技术造成选择性的损伤来造成不导电的绝缘区域,而达到将注入的电流集中至主动区(active region),进而改善面射型激光器的特性.
【机 构】
：
成功大学,尖端光电中心,台南70101
论文部分内容阅读
离子植入技术是一种利用高能量将离子加速,植入目标材料表面下的过程.离子植入技术目前已经被广泛的应用于集成电路的制作.在化合物半导体光电子器件方面,如面射型激光器(VCSELs),吾人亦可利用离子植入技术造成选择性的损伤来造成不导电的绝缘区域,而达到将注入的电流集中至主动区(active region),进而改善面射型激光器的特性.
其他文献
At present, significant research effort around the globe is now being devoted to reducing production costs while maintaining the brightness and efficiency of GaN based devices.Since the first demonstr
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点[1-3].与传统红外探测材料碲镉汞相比,InAs/GaSb Ⅱ型超晶格具有大面积均匀性好、响应波段范围宽、隧穿电流小、俄歇复合率低等优点,是制作大面积焦平面红外光电探测器的理想材料[2].
完整的Si (111)外延GaN结构如图1所示,包括约200nm调制生长AlN缓冲层,200nm组分渐变AlGaN层(Al％=0.65,0.55,0.45,0.35,0.25),以及1.2um的GaN层.其中,对AlN缓冲层生长进行调制,分别为连续生长:同时通入TMAl和NH3;脉冲生长一:先后通入TMAl,TMIn和NH3;脉冲生长二:脉冲AlN缓冲层中间插入一层薄薄的低温AlN,分别对应样品A
半导体照明属战略性新兴产业,其技术发展日新月异,是国际高科技领域竞争的焦点之一,发展的空间巨大.LED光源几乎可以覆盖整个可见光光谱,节能环保,寿命长,可营造出其他传统光源无法替代的高质量光环境,目前已被广泛应用在各种照明设备上,并逐步向农业、生物、医疗等领域发展,掀起了照明领域新一轮的革命.
GaN-based light-emitting-diodes (LEDs) have been developed in various applications due to its widely tunable wavelength from ultraviolet to blue/green.Nevertheless, the most expected application, soli
经过20多年的发展,砷化镓多结太阳电池经历了单结、双结、三结以及最多六结太阳电池的发展历程[1],目前仍然是转换效率最高的太阳能电池,并且不断刷新转换效率的记录[2-3].随着结数的增加,各子电池对太阳能量的吸收也更为充分,理论上也具有更高的转换效率.
本文综述了国际上高功率半导体激光器在转换效率，输出功率，光束质量，器件寿命等方面取得的新进展；论述了半导体激光器获取高光束质量、高功率和高功率密度输出的几种重要技术途径；介绍了作者近年来在高功率半导体激光合束方面取得的主要结果；讨论了高功率半导体激光器作为直接光源的主要应用。
宽禁带氮化物作为第三代半导体,经过该领域无数科研机构和相关领域公司的科学家们的几十年不断探索和研究,在可见光发光二级管和电子器件等应用方面已经达到相当成熟的水平.高亮度的InGaN二极管由于其极高的可见光发光效率和稳定性,已经普遍应用于普通照明和背光显示.
本报告主要介绍两个方面的内容.一是高纯MO源和电子气体在技术和应用方面的发展趋势.另一个是这些电子材料在国内产业化的现状.高纯MO源和高纯电子气体都是MOCVD生产工艺中的关键材料.在制备GaN,和GaAsP等工艺中,这些材料的性能直接影响到发光二极管的光电效率.
InGaN量子点是一种三维方向的纳米结构,相比于量子阱的一维量子限制,量子点存在三个方向上的量子限制,可以有效减小InGaN材料在传统c面GaN上外延生长时的应变,因此在一定程度上抑制量子限制斯塔克效应并有利于In的并入,是实现氮化物长波长可见光LED的有效途径.