【摘 要】
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长期以来,SiO脉泽的抽运机制一直存在争议。目前,主要有两种抽运模型：辐射抽运和碰撞抽运。前者预测v=1,v=2,(J=1-0)这两种SiO 脉泽位于不同的空间,而后者则预测这两种脉
【出 处】
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2015年射电天文前沿与技术研讨会
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长期以来,SiO脉泽的抽运机制一直存在争议。目前,主要有两种抽运模型：辐射抽运和碰撞抽运。前者预测v=1,v=2,(J=1-0)这两种SiO 脉泽位于不同的空间,而后者则预测这两种脉泽位于相同的空间。过去,往往通过VLBI 高分辨率观测直接获得v=1,v=2(j=1-0)两种SiO 脉泽的空间位置来讨论它们的抽运机制。但是,适合观测SiO 脉泽的干涉阵数量少,且观测时间有限,很难对大量的SiO 脉泽源做长期的密集监测。基于此,我们提出了一种新方法：通过单天线观测间接获取这两种SiO 脉泽的相对空间位置信息。与干涉阵相比,单天线更适合对大量SiO 脉泽源做长期密集的监测。因此,这种新方法对SiO 脉泽的抽运机制研究具有重要意义。
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