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FPGA器件在武器和空间电子系统中应用越来越广泛，器件选择是实现系统抗辐射加固的有效方法之一因此，针对器件选择进行FPGA器件γ剂量率辐射效应规律研究具有重要意义。本文选用ACTEL公司的A1020B、A1460A和A42MX16三种反熔丝FPGA芯片进行γ剂量率辐照效应规律试验研究。三种反熔丝FPGA芯片分别为1.Oμm, 0.8μm和0.45μmCMOS工艺，均通过VHDL语言编程设计为数值延时电路工作模式进行辐照试验研究。