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本文建立了金属氧化物压敏电阻(Metal Oxygen Varistor，MOV)的电路仿真模型，研究不同源阻抗的8/20μs冲击电流对MOV冲击残压测量的影响规律，对相同预期短路电流10kA、20kA、30kA条件下的冲击残压进行了仿真研究，并结合Haefely psurger30.2和ICGS两种源阻抗电源测试的数据分析，得出：①同一预期短路电流下，冲击电流回路的源阻抗越大，测得的MOV的冲击残压越大；对于通流容量小的试品，当源阻抗Rs＜1Ω时，冲击残压随源阻抗的增加呈现急剧增加。因此，在对不同试品进行冲击残压标定和性能比对时，建议选用源阻抗较大(如1Ω)以及源阻抗相同的冲击电流源。②不同预期短路电流下测试同一试品时，不同源阻抗冲击电流下测试的冲击残压差基本一致。