一种新结构硅TPJBS二极管的器件与工艺仿真

• 作 者: 王彬 程雨 张海鹏 齐瑞生
• 机 构: 杭州电子科技大学电子信息学院/杭州电子科技大学浙江智慧城市研究中心 杭州 310018
• 出 处: 杭州电子科技大学第九届研究生IT创新学术论坛
• 发表日期: 2016年期
• 关键词: 新结构 快速恢复二极管 半导体器件 工艺仿真 系统应用 器件结构 可制造性 击穿特性

　　提出了一种硅沟槽P 型结势垒肖特基复合(TPJBS)二极管新结构。采用半导体器件与工艺仿真软件TCAD 对这种结构的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真，结果表明，这种结构具有通态电流大，导通电阻低，击穿电压高的优点，更适合需要较高反压快速恢复二极管的系统应用。采用TCAD 对这种结构进行了工艺仿真，论证了在目前的工艺条件下，这种器件结构的可制造性，具有很强的实用性。