低于20keV能区D+D核反应在金属材料中电子屏蔽效应研究

• 作 者: 王强 赵江涛 王铁山
• 机 构: 兰州大学核科学与技术学院兰州大学
• 出 处: 二O一一年全国核反应会
• 发表日期: 2011年4期
• 关键词: S因子 反映产额 电子屏蔽势能

　　介绍了低能区(＜20keV)带电粒子核反应中的电子屏蔽效应的实验及理论研究.并在常温下测量了在不同金属靶材料Mo,W中注入氘,发生d(d,p)t核反应的厚靶产额、S(E)因子、反应截面.在不破坏靶特性的情况下,应用75keV,0.6uA的高能氘束监测靶中的氘密度,对不同能量点进行修正,得电子屏蔽势能.在金属材料中,电子屏蔽势能比气态靶中高出约一个数量级.不同靶材料对D+D核反应的屏蔽效果差异很大.