ECR CVD沉积制备六角氮化硼薄膜

• 作 者: 邓金祥[1]郜志华[2]崔敏[1]陈光华[2]
• 机 构: 北京工业大学应用数理学院 北京 100022
• 出 处: 2009北京真空学会真空技术交流会
• 发表日期: 2009年期

本文对ECR CVD沉积制备六角氮化硼薄膜进行了阐述。采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR CVD)系统，以逐层沉积技术(LBL)制备氮化硼(BN)薄膜。在500℃沉积温度下，以BF3-Ar-He-N2-H2为反应气体，周期通入BF3-N2-H2和BF3-N2，沉积出c轴垂直于衬底表面的六角氮化硼(h-BN)薄膜。室温下，以BF3-Ar-He-N2为反应气体，基于两种反应气体轮流参与沉积的原子叠层沉积方法，周期通入BF3混合气体和N2气体，沉积出h-BN薄膜。应用傅立叶红外光谱(FTIR)和XRD图谱对制备薄膜的结构性能进行研究。