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采用固相烧结法制备了掺杂分别为La1.8Sr0.2CuO4和La1.9Sr0.1CuO4的陶瓷激光靶材,利用脉冲激光沉积(PLD)设备,通过对薄膜沉积工艺条件的探索,在SrTiO3 (STO)衬底上成功制备了具有c轴取向的过掺杂La1.8Sr0.2CuO4超导薄膜.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等分析手段研究了薄膜的晶体结构和表面形貌.结果表明,在本文所得到的最佳工艺条件下,所制备的薄膜具有较高的质量.在相同的沉积条件下,在单层薄膜的基础上,制各了La1.8Sr0.2CuO4/La1.9Sr0.1CuO4超导双层膜,并利用低温电学性能测量系统对其电学性能进行了初步测试.结果显示,该双层膜具有一定的整流特性.