【摘 要】
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本文根据新型双栅MOSFET的工作原理,在氧化层区和沟道耗尽层区引入两个矩形源,借助于半解析法,利用边界条件及衔接条件,求解各个区的二维拉普拉斯方程或泊松方程,为新型双栅M
【机 构】
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安徽大学电子信息工程学院 安徽 合肥 230601
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文根据新型双栅MOSFET的工作原理,在氧化层区和沟道耗尽层区引入两个矩形源,借助于半解析法,利用边界条件及衔接条件,求解各个区的二维拉普拉斯方程或泊松方程,为新型双栅MOSFET建立亚阈值条件下的电势二维模型.该模型的优点是物理概念清晰，物理意义明确，运算量小，避免了数值分析时的方程离散化，可以直接用在电路模拟程序中。根据所建立的模型,分析了表面势与新型双栅MOSFET栅长比的关系.通过与silvaco模拟结果比较，验证了该解析模型的正确性。文中对于氧化层区和沟道耗尽层区的分区方法也可以适用于异质栅结构的MOSFET器件.
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