纳米GaAs-SiO<,2>镶嵌复合薄膜的结构及发光特性

• 作 者: 石旺舟;林揆训;
• 机 构: 大学物理系
• 出 处: '96中国材料研讨会
• 发表日期: 1996年期
• 关键词: 复合薄膜 光致发光 光学性质 纳米材料

该文采用Ｘ射线衍射分析和透射电镜观察研究了共溅射法制备的ＧａＡｓ－ＳｉＯ〈，２〉复合薄膜的结构。其结果表明：薄膜由非晶态的ＳｉＯ〈，２〉和晶态的ＧａＡｓ两相组成；ＧａＡｓ颗粒的平均直径约为１０．６ｎｍ，且较均匀地弥散在ＳｉＯ〈，２〉介质中。测量了薄膜的光致发光特性，发现纳米ＧａＡｓ颗粒的发光谱线位于可见光波段。其发射谱由四个峰叠加组成，峰位分别为５１２ｎｍ、５３０ｎｍ、５５０ｎｍ和５７８ｎｍ。采用量子限域理论讨论了光发射波长与颗粒直径间的关系。