【摘 要】
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采用基于密度泛函的第一性原理方法,同时结合Nudged Elastic Band方法,研究了H2分子在洁净和Pt掺杂Mg(0001)表面的解离吸附过程.给出了H原子在Mg(0001)表面的吸附势能面和H2分子的解离路径和势垒,结果表明H2分子的吸附过程中仅存在物理吸附;H2分子在Mg(0001)表面的解离结果与前人的理论结果吻合.对于Pt掺杂Mg(0001)表面,由于添加的Pt金属的d轨道与H的s
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海 200072 上海大学材料科学与工程学院,上海 200072 北
【出 处】
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2008年全国冶金物理化学学术会议
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采用基于密度泛函的第一性原理方法,同时结合Nudged Elastic Band方法,研究了H2分子在洁净和Pt掺杂Mg(0001)表面的解离吸附过程.给出了H原子在Mg(0001)表面的吸附势能面和H2分子的解离路径和势垒,结果表明H2分子的吸附过程中仅存在物理吸附;H2分子在Mg(0001)表面的解离结果与前人的理论结果吻合.对于Pt掺杂Mg(0001)表面,由于添加的Pt金属的d轨道与H的s轨道的杂化,导致H2分子的解离势垒由洁净表面的1.05 eV降低到0.43 eV.这可以用来解释实验上添加过渡族金属改善Mg材料的吸附动力学特性的现象.
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