【摘 要】
：
采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3、NaF混合粉末的方法制备了具有不同Na含量的CIGS四元靶材.研究了Na含量、烧结温度对靶材密实率、形貌、晶体结构和烧结缺陷的影响.结果表明,在不同烧结温度下靶材都具有黄铜矿相结构,随着烧结温度的提高,靶材密实率明显提高.同时提高Na含量增大了烧结缺陷的产生趋势,当Na含量(NaF/CIGS mole％)达到1.0％,靶材容易出现分层缺陷.在烧结
【机 构】
：
清华大学材料学院,先进成形制造教育部重点实验室,北京100084
论文部分内容阅读
采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3、NaF混合粉末的方法制备了具有不同Na含量的CIGS四元靶材.研究了Na含量、烧结温度对靶材密实率、形貌、晶体结构和烧结缺陷的影响.结果表明,在不同烧结温度下靶材都具有黄铜矿相结构,随着烧结温度的提高,靶材密实率明显提高.同时提高Na含量增大了烧结缺陷的产生趋势,当Na含量(NaF/CIGS mole％)达到1.0％,靶材容易出现分层缺陷.在烧结温度900,Na含量0.2％的条件下获得了最高密实率96.41％的CIGS靶材.
其他文献
绒面背反射电极的陷光作用对提高NIP型硅基薄膜太阳电池的光电转换效率至关重要.本文研究了一种新型的绒面复合背反射电极,首先采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在玻璃衬底上沉积一层“类金字塔”形貌的绒面Zn0薄膜,然后通过热蒸发技术在其表面覆盖不同厚度的Ag,最后溅射厚度约100nm的ZnO:Al介质薄膜.通过改变实验条件,得到不同表面粗糙度(RMS)(约30nm～150nm)的复合背反
在本文中,绒面玻璃被引入作为硅薄膜电池的主要陷光手段.玻璃的绒面结构通过化学腐蚀的方法来实现,绒面结构呈微米级圆坑形状,雾度为60～70％.表面结构为纳米级尺寸的掺硼氧化锌(BZO)氧化物导电薄膜,通过低压化学气相沉积(LPCVD)方式镀在绒面玻璃表面,形成了微米-纳米级的多重陷光结构.这种多重表面陷光结构有效地提高非晶纳米叠层电池中纳米底电池对近红外光的吸收,使整体电流增大,从而提高纳米硅薄膜电
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,通过硅烷浓度的优化,得到了比较均匀的晶化率纵向分布.当厚度小于1984nm时,薄膜随着厚度的增加其晶化率在64.8％-66.9％之间变化.XRD的测试结果表明所制备的纳米硅材料呈现出(220)方向择优.研究了面内晶化率均匀性对电池性能的影响,结果表明晶化率越低,非晶硅/纳米硅双结电池底电池QE电流越低.经过纳米硅本征层纵向及面内晶化率的优化,使电池性能得到大
报道了柔性聚酰亚胺衬底上的非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池的研究结果.首先研究了非晶硅锗单结太阳电池的p层,发现在140℃下沉积的p层最适合.其次研究了四种不同结构隧穿结对叠层太阳电池性能的影响,发现n+(a-Si:H)/p+(nc-Si:H)隧穿结最优.在上述基础上,制备出了效率为11.21％的柔性聚酰亚胺衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池.
在获得了较高效率的小面积柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的基础上,进行了大面积化的工作.考察了衬底类型、背反射电极表面粗糙度对太阳电池均匀性的影响.在薄膜沉积完成后,采用光辅助电化学钝化技术进一步提高太阳电池的均匀性.在上述基础上,制备出的25cm2不锈钢衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池效率达到7.79％;25cm2聚酰亚胺衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池效率达到7.06％,重量比功率达到800W/
本文研究了一种用于nip型硅基薄膜太阳电池的高绒度、高反射的复合背电极结构.首先采用溅射ZnO薄膜,采用稀盐酸湿法腐蚀获得大尺寸的绒面结构;然后溅射小尺寸绒面结构的Ag;最后溅射ZnO介质薄膜.这样形成的ZnO/Ag/ZnO背电极在大尺寸绒面结构的ZnO中包络着小尺寸绒面结构的Ag,由于后面的ZnO介质薄膜厚度较薄,最后的背电极表面自然复制了这种大小相间隔的绒面结构,能够实现良好的陷光作用,同时抑
转换效率是衡量太阳能电池片或组件性能好坏的重要参数.本文依照各类太阳能电池的效率进展,对全面积、孔径面积和特定受光面积做出了明确的定义,并对薄膜太阳电池的面积定义进行了说明.
结合中国的实际国情,对碲化镉薄膜光伏技术产业在中国生产和使用的全周期进行预测性分析,讨论了该产业潜在的镉排放问题.本文全面考虑我国的太阳能资源丰富程度、近期CdTe光伏技术的发展趋势、不同发电形式的比例以及煤电尾气除尘等现状,对在中国推行CdTe光伏大规模生产将产生的直接和间接镉排放进行了分析.数据显示,在中国推行CdTe光伏发电,引起总排放率只有当前我国以火电为主的发电结构引起的排放率的1/13
大面积CIGS电池组件中子电池互连件图型、激光刻划参数等对组件性能影响显著.本文采用三步蒸发工艺在覆有钼膜的玻璃衬底上制备出电池吸收层铜铟镓硒材料,并完成其它电池层材料的制备.在电池制备过程中,采用激光刻蚀技术进行组件中子电池互连制备,研究了激光功率、重叠率、刻蚀线宽等参数对材料互连质量的影响.所制备的1Ocm×1Ocm玻璃衬底上电池组件效率开路电压达到2.4V,子电池互连引起的面积损失约9.8％
本文采用蒸发法分别制备1μm和2μm左右的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过改变Ga蒸发源的温度来获得不同的Ga含量.采用扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪(Hall)、量子效率(QE)的微分计算,分别比较研究了Ga含量对不同厚度Cu(In,Ga)Se2吸收层结晶质量、电学特性和最小带隙值影响的差异.实验表明Ga/(Ga+In)在0.20-0.36之间的变化,对1μm Cu(In