论文部分内容阅读
GSMBE生长SiGe HBT材料的原位掺杂
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
【出 处】
：
第七届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
2000年12期
其他文献
作者们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。作者们发现相对高的NH流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。
利用改造的国产GSMBE系统和NH-MBE技术，在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料，其室温电子迁移率达300cm/Vs，相应的背景电子浓度为2x10cm。X射线(0002)衍射摇摆曲线半高宽为6 arcmin。在此基础上外延的GaN/AIN极化感应二维电子气材料室温和低温(77K)的电子迁移率分别达到670cm/Vs和1700cm/Vs。
近几年来,高能量饮食的增加以及久坐的生活习惯促使代谢综合征（Metabolicsyndrome,MS）成为一个全球性的健康问题。MS是一组代谢危险因素的集合体,包括胰岛素抵抗,高血糖,血脂紊乱,高血压和腹型肥胖。MS会急剧升高患二型糖尿病和心血管疾病的风险。研究表明精制碳水化合物的摄入与MS的发生密切相关。本研究利用食物精制过程中副产物中的功能成分开发针对代谢综合征人群的营养强化小麦面粉,在不影响
花生（Arachis hypogaea L.）是世界第四大油料作物,具有重要的经济价值和营养价值。近年来,随着国家对油料生产的日益重视以及人民生活水平的不断提高,我国花生生产呈稳定上升趋势。河南省是我国第一花生生产大省,面积和产量分别占全国的22%和27%。培育高产、优质、抗性好、具有理想株型的花生品种一直以来都是花生育种工作的目标。而研究目标性状的遗传机制,了解花生种质资源和育成品种的遗传背景是