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该文研究了在水热条件下制备ＰＬＺＴ（８／６５／３５）多元铁电薄膜的优化工艺条件。讨论了反应温度，反应时间等不同工艺条件对ＰＬＺＴ多元铁电薄膜结构，结晶取向的影响。初步研究了ＰＬＺＴ多元铁电薄膜的成膜机理。Ｘ射线衍射分析结果表明，采用在高温下成核，低温下使其晶粒生长的两步结合成工艺能够在Ｔｉ基片上制备出纯钙钛矿相结构。ＳＥＭ分析结果显示，经过２００℃×１０ｈｒ高温反应，再经过１６０℃×２４ｈｒ低温反应后，生成薄膜的厚度约为５μｍ，晶粒尺寸约为１μｍ。测量薄膜的介电性能，结果表明，介电常数在５５０左右。