SRAM重离子微束单粒子效应实验研究

• 作 者: 贺朝会[1] 郭红霞[2] 郭刚[3] 李永宏[2] 陈泉[3] 惠宁[3] 苏秀娣[4] 张凤祁[2] 罗尹虹[2] 姚志斌[2]
• 机 构: 西安交通大学,西安市咸宁西路28号,710049;西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,710024西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,710024中国原子能科学研究院核物理所,北京275信
• 出 处: 中国科协2005年学术年会
• 发表日期: 2005年8期

单粒子效应是指单个带电粒子射入半导体器件,导致器件功能异常的现象.该文介绍了国内首次大规模集成电路--静态随机存取存储器(SRAM)的重离子微束单粒子效应实验研究,建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区,分析了单粒子翻转敏感区形成的机理,为器件抗单粒子效应加固设计打下了基础.