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研究了VO含量对ZnO-VO系压敏电阻微现结构和电性能的影响，通过过渡金属氧化物掺杂制得了性能较好的ZnO-VO多组元压敏电阻器。
Zn0-V<,2>O<,5>系低烧压敏电阻材料研究
【摘 要】
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研究了VO含量对ZnO-VO系压敏电阻微现结构和电性能的影响，通过过渡金属氧化物掺杂制得了性能较好的ZnO-VO多组元压敏电阻器。
【出 处】
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第十届全国高技术陶瓷学术年会
【发表日期】
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1998年期
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