立方相A1<,x>Ga<,1-x>N/GaAs(100)的MOCVD外延生长

• 作 者: 冯志宏 杨辉 段俐宏 赵德刚
• 机 构: 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心
• 出 处: 第七届全国固体薄膜学术会议
• 发表日期: 2000年期
• 关键词: 立方相 生长温度 结晶质量 外延层 生长技术 扫描电镜 流量 光致发光 表面形貌 衬底 薄膜

作者们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH<,3>流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。作者们发现相对高的NH<,3>流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。