PIN型非晶硅a-Si:H太阳电池短波光谱响应的研究

• 作 者: 王利 张晓丹 赵颖 刘伯飞 杨素素 魏长春 孙建 张德坤 耿新华
• 机 构: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
• 出 处: 中国可再生能源学会2011年学术年会
• 发表日期: 2011年期
• 关键词: PIN型 非晶硅 太阳电池 短波 吸收损失 光子吸收 层厚度 效率测试 输运损失 实验结果 光损耗 量子 方法 波段

本文提出了一种测试短波光子在光损耗层（P 层，PI-buffer 层）的吸收损失的方法，从而弥补了量子效率测试无法将吸收损失和输运损失分开的不足。对不同P 层厚度和 PI-buffer 厚度对短波光子的吸收实验结果显示，P 层厚度在10nm 左右时对短波光子吸收较明显，而PI-buffer 层则不仅引起短波光子吸收损失严重，而且影响的波段的范围更广.