AgSiO2纳米薄膜导热系数的测量

• 作 者: 沙峰 陈云飞 王赞 陈敏华
• 机 构: 东南大学机械工程学院，南京211189东南大学机械工程学院，南京211189江苏省微纳生物医疗器械设计与制造重点实验室，南京210096
• 出 处: 第三届(2009)国际太阳能光伏大会
• 发表日期: 2009年5期
• 关键词: 实验方法 导热系数 二氧化钛薄膜 银纳米颗粒

采用3ω实验方法在300K～360K温度范围内测试了Ag纳米颗粒分散SiO2薄膜的导热系数。Ag/SiO2纳米薄膜采用多靶磁控溅射技术制备，其中分散颗粒的体积分数分别为2.0%和3.3%，平均直径为10nm～30nm，膜厚约为500nm。结果表明，对于掺杂了金属Ag纳米颗粒的SiO2纳米薄膜，在300K～360K温度范围内其导热系数随着温度的升高而增大，这种趋势与集成电路中使用的SiO2薄膜是一致的，但前者的导热系数要高于后者，有利于增加集成电路的散热能力，提高微电子器件工作的稳定性。