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超黑材料(光反射率低于1%,吸光率大于99%)可以有效减少不利的反射并对离散光线进行极大限度的吸收,从而实现对光的高效吸收.本工作在研究材料宽光谱减反射吸光作用机理的基础上,通过控制溶胶-凝胶制备工艺参数,制备所得的碳气凝胶密度范围为20~60 mg/cm3,比表面积范围为1783~967 m2/g,在350~2200 nm 紫外-可见-近红外波段对光的反射率低于0.3%,吸光率大于99.7%,可
过渡金属硫化合物二维半导体纳米材料因其独特的电子学、光子学等性质在光学器件和光电器件领域表现出潜在的应用前景。然而,目前基于MoS2 等二维半导体材料非线性光学性能的研究大都集中在液相剥离得到的纳米片分散液上,不利于器件化。
在大型高功率固体激光装置的日常运行中,系统结构的微振动一直是影响光路准直精确度的重要因素。为了更好地对系统结构微振动进行有效控制,应用刚度或阻尼性能可控的材料是非常必要的,而磁流变材料的物理特性(包括材料刚度、阻尼性能等)具有独特的磁场可控性。
会议
KDP 类晶体具有较大的电光和非线性系数,以及较高的抗激光损伤阈值,是目前唯一能够在高功率激光系统获得应用的大口径晶体材料。长期以来,针对这类晶体的研究关注点是:晶体的生长速度与晶体的质量(主要以损伤阈值来衡量)。
基于抛光所引起的熔石英元件表面、亚表面所存在的损伤前驱体分布,研究了不同种类的损伤前驱体所引起的损伤形貌。然后根据不同种类的损伤前驱体分别采用表面活性剂、强氧化性酸、氢氟酸的水溶液对不同的损伤前驱体进行处理。
自1985 年Mourou 等人提出了啁啾脉冲放大(Chirped Pulse Amplification,简称CPA)技术的概念以后[1],高峰值功率飞秒激光脉冲系统获得了迅猛发展[2-4]。
会议
在神光Ⅱ 升级装置上完成了国际上首次间接驱动快点火集成实验。实验采用双台阶脉冲整形激光注入黑腔产生X 涉嫌准等熵压缩锥壳靶,实现了高密度压缩,然后采用皮秒超短脉冲激光注入加热燃料。
会议
半导体激光器光栅-外腔光谱合束是一种实现高亮度半导体激光合束输出的有效方法。本文采用mini-bar 叠阵作为合束光源,有效减小了“smile”效应对合束效率的影响,匀化了合束后的快慢轴光束质量,便于进一步的光纤耦合输出。
三倍频激光(351 nm)诱发熔石英元件表面损伤是限制高功率固体激光装置负载能力提升的重要因素之一。目前,激光清洗、紫外激光预处理与熔石英损伤修复等表面激光精密处理技术已逐渐成为提高熔石英元件初始损伤阈值,抑制损伤增长,实现元件循环使用的主要手段。
本文以Jones 矩阵为工具,对神光-Ⅲ 主机装置中的光束的偏振态变化进行建模。模型中包含从装置主放段开始,对光束偏振态有影响的所有过程,包括光束扭转、反射膜层的加工精度和使用角度、透射元件的应力双折射效应对偏振态的影响,由此明确了光学元件材料、反射膜层加工和元件安装等过程中对系统偏振控制有影响的参数。