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该文扼要地由GL自由能推导了界面钉扎中心的钉扎公式。提出了非理想散射平面模型，并计算了△K／K的变化，给出了非理想平面电子散射中心的钉扎力与平面厚度。杂质及散射几率等关系的结果中有关散射平面厚度及散射几率等对钉扎力及掺杂程度的影响和实验结果在趋向上一致，有些和现有理论结果显著不同。（本刊录）
平面型散射中心钉扎效应的理论研究
【摘 要】
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该文扼要地由GL自由能推导了界面钉扎中心的钉扎公式。提出了非理想散射平面模型，并计算了△K／K的变化，给出了非理想平面电子散射中心的钉扎力与平面厚度。杂质及散射几率等关系
【机 构】
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南京大学固体物理研究所
【出 处】
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第六届全国高临界参数超导体学术交流会
【发表日期】
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1986年期
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