【摘 要】
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本文介绍了一个使用正交-差分四相逆D类功率单元设计并实现的适用于特高频射频标签识别系统(UHF RFID)的全数字射频发射前端;为辅助其设计,提出了一种针对正交-差分四相型逆D类功率单元的解析计算模型.本前端在0.18μm标准CMOS工艺下制造,经测试可以在发射23.8dBm连续载波信号时达到46％的漏极效率,带内信噪比95dB,并在发射DSB-ASK 调制信号时达到-50dBc、-60dB、-6
【机 构】
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北京大学深圳研究生院,深圳518055 北京大学微电子学研究院,北京100871
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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本文介绍了一个使用正交-差分四相逆D类功率单元设计并实现的适用于特高频射频标签识别系统(UHF RFID)的全数字射频发射前端;为辅助其设计,提出了一种针对正交-差分四相型逆D类功率单元的解析计算模型.本前端在0.18μm标准CMOS工艺下制造,经测试可以在发射23.8dBm连续载波信号时达到46％的漏极效率,带内信噪比95dB,并在发射DSB-ASK 调制信号时达到-50dBc、-60dB、-65dBc的邻近、次邻近、第三邻近信道抑制率,满足UHF RFID中国标准的发射频谱要求.
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