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原子层沉积(ALD)方法制备的氧化铝在不同掺杂类型和浓度的单晶硅上都有着良好的钝化作用.我们用热型ALD 方法沉积氧化铝薄膜,研究了不同厚度氧化铝对单晶硅表面的钝化效果；并对叠层结构(氧化铝/氮化硅双层薄膜)的钝化效果及反射率进行了研究,讨论了叠层钝化膜制备过程中的退火步骤的必要性.
氧化铝铝氮化硅叠层钝化晶体硅表面的特性研究
【摘 要】
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原子层沉积(ALD)方法制备的氧化铝在不同掺杂类型和浓度的单晶硅上都有着良好的钝化作用.我们用热型ALD 方法沉积氧化铝薄膜,研究了不同厚度氧化铝对单晶硅表面的钝化效果；并
【机 构】
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中国科学院电工研究所,中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京,1000190
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
【发表日期】
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2012年9期
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