【摘 要】
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随着微加工工艺的不断发展,MEMS、电子芯片及封装等微尺度器件得到越来越广泛的应用,这些微尺度器件在工作中受到力、热等载荷扰动时所产生的微小变形会直接影响其工作可
【机 构】
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清华大学力学系,100084北京理工大学宇航学院力学系,100081
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随着微加工工艺的不断发展,MEMS、电子芯片及封装等微尺度器件得到越来越广泛的应用,这些微尺度器件在工作中受到力、热等载荷扰动时所产生的微小变形会直接影响其工作可靠性,一些严重的变形甚至导致器件完全失效；另外对微器件的其它相关力学性能研究也需要对其徽变形进行定量测量。因此,发展一种具有高精度和高分辨率的微变形测量方法就显得尤为必要。本文作者采用微纳米高频栅线制作技术在微结构表面上直接制出高频单向或正交栅线,利用SEM(扫描电子显微镜)设备观测被测微结构表面变形前后的栅线形态变化,借鉴双目成像原理,通过理论推导建立微结构三维位移场与栅线变形之间的关系方程,利用改进的栅线处理程序自动化分析变形栅线,进而获得微器件表面的微观形貌以及三维变形场,文中讨论了利用该方法进行三维变形测量的灵敏度和测量误差。
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