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文中介绍了一种适合ＢＣＤ兼容工艺的集成ＶＤＭＯＳ器件，其版图布局采用漏、源叉指结构，着重分析了该结构的导通电阻模型及优化设计方法。实验结果证明了设计的正确性。
一种适合BCD兼容技术的集成VDMOS的优化设计
【摘 要】
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文中介绍了一种适合ＢＣＤ兼容工艺的集成ＶＤＭＯＳ器件，其版图布局采用漏、源叉指结构，着重分析了该结构的导通电阻模型及优化设计方法。实验结果证明了设计的正确性。
【机 构】
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部第二十四研究所
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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