【摘 要】
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本文在对星载电子器件和集成电路空间高能质子单粒子翻转率计算方法研究的基础上,用VisualBasic语言编程,实现了星用电子器件高能质子单粒子翻转率计算模型软件化,为高能质子单粒子效应加固设计和验证评估提供技术依据.计算了几种典型轨道上的质子单粒子翻转率,在此基础上,分析了质子单粒子翻转率与空间轨道的关系,并对计算数值与在轨观测数值进行比对验证,为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据.
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
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本文在对星载电子器件和集成电路空间高能质子单粒子翻转率计算方法研究的基础上,用VisualBasic语言编程,实现了星用电子器件高能质子单粒子翻转率计算模型软件化,为高能质子单粒子效应加固设计和验证评估提供技术依据.计算了几种典型轨道上的质子单粒子翻转率,在此基础上,分析了质子单粒子翻转率与空间轨道的关系,并对计算数值与在轨观测数值进行比对验证,为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据.
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