光寻址电位传感器特性的仿真分析

来源 :第六届全国敏感元件与传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:deansam
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光寻址电位传感器(Light Addressable Potentiometric Sensor,LAPS),是一种新型硅传感器,具有EIS(电解质/绝缘层/硅)和MIS(金属/绝缘层/硅)两种基本结构,在生物领域有着广泛的应用,一出现就为了研究热点。该文用仿真的方法分析了LAPS两种基本结构的原理,首次提出MIS结构LAPS的电路模型并采用能带理论得到了数学模型,所有的结果都正确反映了LLPS的实际特性。最后利用这种方法分析了影响LAPS灵敏度的因素:硅掺杂浓度,绝缘层厚度以及光强等,并提出了LAPS的设计方案。
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