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本研究采用电化学法在室温下快速沉积制备CdSe薄膜，通过考察沉积电压对薄膜形貌及结构的影响，选择出制备CdSe薄膜的最佳沉积电压。采用高分辨X射线衍射仪（HRXRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外/可见/近红外（UV-VIS-NIR）分光光度计对所制备产物的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明所制备的薄膜为立方相CdSe，呈纳米颗粒状，部分粒子表现出不均匀团聚。样品在522nm处有一吸收峰，较体相CdSe有较大的蓝移，且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。由分析可知适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用，同时讨论了可能的反应机理。