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  5. 氧空位对LAO/STO二维电子气体系晶格的影响

氧空位对LAO/STO二维电子气体系晶格的影响

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：beijingmonkey
【摘 要】
：
　　从04年在两种能带绝缘的钙钛矿氧化物：LAO和STO界面处发现二维电子气起1,该体系一直是人们研究的热点.然而关于其二维电子气的起源一直没有定论,主要几种可能的机制包括：La
【作 者】
：
王志成 孟德超 云宇 黄浩亮 翟晓芳 陆亚林 
【机 构】
：
中国科学技术大学微尺度国家实验室,合肥230026
【出 处】
：
中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
：
2015年期
【关键词】
：
氧空位 STO 二维电子气 体系 晶格结构 钙钛矿氧化物 界面 薄膜生长 
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　　从04年在两种能带绝缘的钙钛矿氧化物：LAO和STO界面处发现二维电子气起1,该体系一直是人们研究的热点.然而关于其二维电子气的起源一直没有定论,主要几种可能的机制包括：LaO+/AlO2-和SrO/TiO2的原子层分布导致的极性不连续,引起了界面处电荷重组；薄膜生长时的氧空位的形成；晶格结构的重构2.
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